武汉某半导体材料存储芯片生产加工厂厂，晶圆加工厂的过程中引起含硅、氟的特殊的焦化废水治理 ，设计操作整体规模1200吨/日。焦化废水治理 成分表复杂化，含纳米级级硅颗粒肥料及氢氧化钠，传统性操作方法步骤难易达到标准。 电镀废水化学物质及主要来源 具体污染破坏物 ：电解质溶液硅（100-500nm粒级）、氟铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 特征工艺流程 ：晶圆刻蚀废污水（45%）、CMP有机化学物理打磨废污水（40%）、机械设备冲泡水（15%） 整理技艺的流程 科学创新选用"化学上奠定+特种工艺膜拆分"高技术规划： 钙盐沉淀出的 ：加药系统氯化钙取除氟化合物（转成CaF2积淀） 斜板沉淀池现象 ：塑料二沉池剂进行橡胶胶体部分硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm外径膜公款私存微细小粒 反参透体统 ：脱盐率>98%，收购率75% 蒸馏凝结 ：浓水段达成氟化物达标排放口 从而效率 氟化物质量浓度：<8mg/L（达不到发展中国家两级规范标准10mg/L） 硅成分：<5mg/L 水网络资源回收率：70%主要用于冷却水塔补水保湿 危废处理减轻：化掉残留物量较常用加工过程极大减少60%